聚焦离子束电路编辑(FIB-CE)是一种通过离子流蚀刻新结构或沉积新材料来修改微器件的技术。传统方法需要30keV高能离子束和牺牲参考区域,而新方法采用5keV低能离子束,具有三大突破:

  1. 无牺牲区域:消除传统工艺所需的参考标记区域,避免破坏功能性电路
    1. 大特征尺寸:支持创建更大尺寸的修改结构,改善电子特性
    1. 精度提升:增强的二次电子信号使显微镜信噪比提高20% 技术验证采用动态环形振荡器(DRO)阵列测试:
  • 5keV离子束刻蚀绝缘沟槽后,DRO仅出现轻微频率偏移
    • 透射电镜显示30keV束仅保留17nm鳍片结构,而5keV束保留更完整 该技术已应用于某机构自研芯片,使设计迭代周期缩短40%,芯片能效提升15%。研究团队正在探索将该方法扩展到3D芯片堆叠等新型封装技术领域。

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